碳化硅作为一种新兴的第三代半导体材料，以其优越的综合性能表现正在受到越来越多 的关注。碳化硅外延层的厚度是外延材料的关键参数之一，对器件性能有重要影响。因此， 制定一套科学、准确、可靠的碳化硅外延层厚度测试标准显得尤为重要。 红外干涉法是外延层厚度测量的无损伤测量方法，其工作原理是，外延层与衬底因掺杂 载流子浓度的不同而有不同的折射率，红外光入射到外延层后，一部分从外延层表面反射出 来，另一部分从衬底表面反射回来（图 1），这两束光在一定条件下会产生干涉条纹。可根据 红外光谱的波长、外延层的折射率和红外光的入射角等参数确定外延层的厚度。

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