MOSFET的物理结构

MOSFET的特征曲线

MOSFET的转移特性曲线

MOSFET的输出特性曲线

截止区的条件：栅源电压 VGS​<Vth​（阈值电压）

非饱和区（线性区）的条件：栅源电压 VGS​>Vth​（阈值电压）且漏源电压 VDS​<VGS​−Vth

VGS和VDS共同决定了ID，特性等效于压控可变电阻器

饱和区的条件：栅源电压 VGS​>Vth​（阈值电压）且漏源电压 VDS​>VGS​−Vth

只有VGS决定了ID，特性等效于压控可变恒流源

N沟道MOSFET分为哪些类型

N沟道MOSFET分为N沟道增强型和N沟道耗尽型，N沟道耗尽型天生自带导电通道，N沟道增强型天生不带有导电通道。

MOSFET的两个特性

1 ， MOSFET的输入阻抗特别高，因为栅极与P沟道之间有二氧化硅绝缘层

2 ， MOSFET的栅极因为无法释放电荷所以容易被ESD静电击穿，所以MOS管的栅极和源极之间要并联一个电阻

沟道为什么发生了倾斜

因为MOSFET的D极和S极之间加电压后，D极的电位和S极的电位就不再相同

为什么三极管叫做双极性，而场效应管叫做单极性

因为三极管中有两种粒子自由电子和空穴导电，而场效应管中只有一种粒子导电

MOS管的三个工作状态以及对应的工作条件

MOS管存在三种工作状态，分别是截止区，饱和区和线性区

截止区的判断条件是Vgs<Vgs(th)

饱和区的判断条件是Vgs>Vgs(th)，Vds>Vgs-Vgs(th)

线性区的判断条件是Vgs>Vgs(th)，Vds<Vgs-Vgs(th)

MOS管三个工作状态下对应的电路模型

MOS管工作在截止区等效于断开的开关

MOS管工作在饱和区等效于受gs电压控制的电流源（Id和Vgs的关系）

MOS管工作在限行区相当于可变的电阻（Vgs和Vds的关系）

FET的分类

FET分为MOSFET和JFET，MOSFET全称金属氧化物场效应管，JFET全称结型场效应管

MOSFET的驱动电路

MOS管驱动需要考虑的问题

1 ， 快速释放GS之间的结电容的电荷使MOS管快速关断

MOS管驱动电路为什么需要自举电容

MOS管驱动电路的栅极为什么要串联一个电阻

原因：1，消除MOS管的振荡信号

振荡信号是PCB走线产生的寄生电感与寄生电容产生LC谐振

2，限制对GS极电容的充电电流，防止驱动电流过大对驱动芯片的损坏

推挽电路驱动电路

MOS管的米勒平台是什么东西

MOS管的米勒平台指的是栅极电压会在一段时间内不发生改变

Cgd是米勒电容

米勒平台的时间越长，MOS的导通损耗也就越大

如何减弱米勒平台的效应

1，选用米勒电容Cgd较小的MOS管

MOS管的开启电压和关断电压

MOS管在切换导通状态的时候，MOS管必然会存在中间态-半导导通状态，半导通时的MOS管的导通电阻是变化的，很大到接近于0

不同驱动电压下对应的Rds(on)是不同的，了解这点信息对优化导通损耗

MOS管的损耗计算

导通损耗的计算公式=Rds(on)*Id²*Ton

截至损耗的计算公式=Vds*Idss*Toff

开通损耗计算公式=0.5*Vds*Id*(t3-t1)

关断损耗的计算公式=0.5*Vds*Id*(t4-t2)